| IBM inventó la tecnología de cobre en 1997. En 1998
comenzó la producción de los primeros chips basados en esta tecnología, y sólo un año
más tarde aparecía por primera vez un sistema con chips de este tipo. A principios del
año 2000, la compañía ha anunciado un nuevo avance: los científicos de IBM han
conseguido proteger los millones de transistores de cada chip con una capa aislante,
consiguiendo mayor velocidad y menor consumo de energía. La nueva
tecnología SOI permitirá la construcción de ordenadores más rápidos y con menor
consumo de energía. Y este es un factor clave para incrementar la autonomía de los
dispositivos portátiles que se van a generalizar en un futuro próximo.
La tecnología SOI (Silicon On Insulator) permite aumentar la
velocidad de los transistores entre un 20% y un 30%. Los primeros sistemas con tecnología
SOI (servidores AS/400) aparecerán en el mercado a mediados de año y, según los
análisis de rendimiento realizados con entidades independientes, su rendimiento llega a
ser hasta tres veces superior respecto a modelos anteriores.
En qué consiste
El proceso en el que se basa la tecnología de silicio sobre aislante
es simple pero requiere gran precisión, ya que se trabaja en superficies microscópicas:
consiste en colocar sobre la capa de silicio que sostiene los transistores del chip una
segunda capa de un material aislante que puede ser óxido de silicio o cristal.
Los millones de transistores, que actúan a modo de conmutadores para
gestionar su actividad, son colocados sobre esta segunda capa, lo que aumenta su
rendimiento y elimina fallos debidos a su velocidad.
IBM ha construido y probado chips con tecnología de silicio sobre
aislante que arrojan un nivel de rendimiento superior hasta en un 35 por ciento respecto a
procesadores CMOS, con un consumo tres veces más reducido.
El principio sobre el que se basa la tecnología de procesadores de
cobre es sencillo el cobre es el mejor conductor que existe, pero no así su puesta en
práctica. Una vez hecha posible la tecnología, los científicos de IBM descubrieron una
circunstancia curiosa: es tal la velocidad con la que el cobre opera, que se producen
cortocircuitos, imperceptibles por el usuario pero que es necesario subsanar.
La tecnología SOI permite no sólo eliminar este problema, sino que
además evita posibles fugas eléctricas, de forma que el consumo es mucho menor que
aplicando en el chip sólo silicio.
Respecto a la tecnología convencional de aluminio/silicio,
los sistemas de conmutación de cobre tecnología SOI
han adelantado dos años la evolución de las arquitecturas
de proceso.
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