Gracias a la tecnología SiGe los procesadores alcanzarán velocidades cercanas a 150 GHz en menos de dos años

Madrid, 6 de noviembre de 2002
IBM ha anunciado la creación del transistor de silicio más rápido del mundo. Este transistor, elemento básico de la estructura de un microchip, utiliza la reconocida tecnología SiGe de IBM, para alcanzar velocidades cercanas a 350 GHz. El nuevo transistor de IBM ofrece un rendimiento 4 veces superior a los actuales del mercado y es un 65% más rápido que los
últimos prototipos anunciados.

Un transistor es la pieza fundamental de un chip. De hecho, un microchip del tamaño de una uña puede albergar millones de transistores. Por ello, IBM asegura que el nuevo transistor de silicio llevará a los chips de comunicaciones a velocidades superiores a los 150 GHz en cuestión de dos años. También se prevé que el transistor consuma menos energía que los actuales y que permita un menor coste en sistemas de comunicaciones y otros productos electrónicos.

"La industria conoce la importancia de la tecnología SiGe, y todos tratan de integrarla en sus productos", afirma Bernard Meyerson, del Área de Tecnología de IBM. "SiGe es imprescindible para los diseños de sistemas basados en chips que quieran combinar circuitos lógicos y circuitos inalámbricos de alta velocidad. Y mientras otros anuncian sus primeras
versiones, IBM ya va por la quinta generación de la tecnología SiGe".

La velocidad de un transistor viene determinada principalmente por la velocidad con que los electrones se mueven a través de él. Esto depende del material semiconductor utilizado en la fabricación y la distancia existente entre los electrones. El material utilizado en la mayoría de los transistores habituales es el silicio. En 1989 la división de Investigación de IBM introdujo un avance importante a este material al añadirle germanio
(material SiGe) para acelerar el flujo eléctrico, mejorando el rendimiento y reduciendo el consumo energético. Ahora, con este nuevo logro, IBM combina el uso del material SiGe con un diseño mejorado del transistor que reduce las distancias eléctricas para aumentar la velocidad.

Transistor bipolar
En este tipo de dispositivos los electrones suelen moverse horizontalmente, así que para reducir las distancias de movimiento se requiere que el transistor se haga más estrecho. Esta es una difícil y costosa tarea que requiere nuevas herramientas de fabricación. Sin embargo, IBM ha diseñado
un transistor bipolar, donde los electrones se mueven verticalmente, con lo que la velocidad puede aumentarse reduciendo la altura del transistor. Esta configuración diferente es muy útil para determinados tipos de microchips destinados a comunicaciones inalámbricas.

Los chips con tecnología SiGe de IBM están siendo introducidos en procesos de producción ya existentes, de una forma rápida y económica. Esto ha posibilitado la expansión de dicha tecnología en dispositivos como teléfonos móviles y otros productos de comunicación. Un estudio de la empresa IC Insights estima que las ventas de tecnologías SiGe alcanzarán los 2.700 millones de dólares en 2006, frente a los 320 millones de dólares de 2001. Este informe asegura que IBM canalizará un 80% de esta facturación.